`LTC8551XT5/R6可替代SGM8551,TP5551,GS8551,AD8551等



描述所述的ltc855x放大器家族为极低偏移量提供输入偏移电压校正
并通过使用专利快速步进响应斩波稳定技术漂移.
这种方法可以不断测量和补偿输入偏移量，消除漂移。
时间、温度和1/f噪声的影响。这一设计突破允许
结合1.5mhz的增益带宽积和1.2 v/μs的高折射率，而
只画出125μa的补给电流。这些装置是团结增益稳定而有用的
电源拒绝率（psrr）和通用模式拒绝率（cmrr）。
ltc855x系列非常适合需要精确放大的应用
低级别信号，其中错误源是不能容忍的，即使在高级别
需要带宽和快速转换。铁路到铁路的投入和产出的波动
高侧和低侧都容易感应。LTC855x系列可以单机操作
供电电压低至1.8v，用于2电池电池应用。
LTC855x运算放大器增强了电磁保护，以减少任何电磁干扰
来自外部来源的干扰，具有高静电放电保护
（5-kv hbm）。所有型号均在工业温度的扩展范围内
−40℃至125℃.


特点和好处

 High DC Precision:
– ±8 μV (maximum) VOS with a DrIFt of ±40 nV/℃ (maximum)
– AVOL: 112 dB (minimum, VDD = 5.5V)
– PSRR: 112 dB (minimum, VDD = 5.5V)
– CMRR: 112 dB (minimum, VDD = 5.5V)
– Vn: 0.45 μVPP (typical, f = 0.1 to 10 Hz)
 1.5 MHz Bandwidth and 1.2 V/μs Slew Rate
 Settling time to 0.1% with 1V Step: 1.2 μs
 Overload Recovery Time to 0.1%: 35 μs
 micro-Power 125 μA per Amplifier and 1.8 V to 5.5 V Wide Supply Voltage Range
 Operating Temperature Range: −40℃ to +125℃

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